第十二届亚太宽禁带半导体国际会议在西安召开

近日，第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（The 12thAsia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors,APWS 2026）在陕西西安举办。

本届大会由西安电子科技大学主办，西安电子科技大学集成电路学部、宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，大会围绕Ⅲ族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等核心方向，设置全体大会、31场平行分会、3个短期课程，共安排169场特邀及口头报告，并特别设立宽禁带半导体女性学者论坛。会议内容覆盖材料外延生长、器件物理机理、晶圆制造、封装测试、可靠性验证、车规级认证、系统级应用等全链条核心议题，全面展示了近年来亚太地区宽禁带半导体领域的最新研究进展。来自亚太地区及欧美等9个国家和地区的1200余位科研人员、产业专家和企业代表参会。

大会主席郝跃院士代表会议组委会向与会嘉宾和专家学者表示欢迎。他表示，当前宽禁带半导体正从基础研究不断走向规模化应用，研究重点进一步延伸至界面、缺陷、热效应和器件结构等相互耦合的科学与工程问题。希望与会学者既分享已有成果，也围绕尚未解决的问题深入交流，共同探讨领域未来发展方向，携手推动亚太地区协同创新。

西安电子科技大学党委书记任小龙代表学校对各位与会专家的到来表示热烈欢迎。他介绍，建校95周年来，西电坚持开放办学，持续拓展国际合作，在电子信息领域积淀深厚，在宽禁带半导体领域取得多项标志性科研成果。他指出，本届会议是亚太地区宽禁带半导体领域的重要学术交流平台，西电将以本次会议为契机，深化海内外交流合作，与各方携手协同创新，助力全球半导体技术不断进步，服务国家高水平科技自立自强。

西安电子科技大学副校长张进成主持大会开幕式，西安高新区党工委副书记、管委会主任陈辉，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华在开幕式上先后致辞，对会议召开表示祝贺，并从区域产业发展和行业协同创新等方面分享观点与展望。

开幕大会主旨报告由技术程序委员会主席、北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波教授主持。东京大学Hiroshi Fujioka教授、厦门大学张荣教授和香港科技大学Kei May Lau教授分享了宽禁带领域的最新研究成果与前沿思考，为与会者带来启发。

闭幕大会主旨报告由张进成和西电宁静教授共同主持。韩国科技大学Okhyun Nam教授、北京大学沈波教授、西安电子科技大学郑雪峰教授等国内外学者作专题报告，内容涵盖材料、器件、电路与系统等方向，展现了宽禁带半导体研究的多层次进展及应用前景。大会评选出5项最佳海报奖和10项最佳口头报告奖，由大会主席、中国科学院院士、西安电子科技大学集成电路学部主任郝跃教授为获奖者颁奖，鼓励青年科研人员持续探索、勇于创新。

会议期间，集成电路学部邀请十余位参会外籍专家到校参观交流，并围绕人才培养、科学研究等议题开展座谈研讨。

APWS作为亚太地区宽禁带半导体领域材料与器件方向的标杆性国际会议。APWS 2026为亚太地区及全球宽禁带半导体领域的科研人员和产业代表搭建了交流合作的平台，推动了前沿成果分享，也拓展了跨国家、跨机构的产学研合作空间。未来，APWS将继续发挥国际学术交流纽带作用，促进区域协同创新，为宽禁带半导体领域的持续发展贡献力量。（通讯员：沈雪 宁静）